陕西华经微电子股份有限公司作为公司主体的国营895厂是国家为跟踪世界电子技术发展和国防建设的需要,投资建设的厚薄膜混合集成电路专业生产厂,先后为我国的人造卫星、飞机、舰船、雷达等研制生产了具有先进水平的厚薄膜混合集成电路,多次受到电子部、陕西省人民政府的表彰奖励,为国防建设做出了巨大的贡献。
厚膜电阻网络(dip、sip型)
70℃时:单个电阻额定功率为0.125w;
额定功率为0.125×(电阻个数)w;
阻值范围:10ω ~10mω、电阻精度 ± 0.1%;
温度系数: tcr≤±200 ppm/℃(≤ ± 50ppm);
工作温度:-55℃~+125℃ ;
外形尺寸:
单列直插封装式:2.54×(n-1)+2.5(max)
双列直插封装式:[(n/2)-1]×2.54+2.54
厚膜电阻网络(smd型)
电阻精度:±1%;
跟踪精度:≤±0.5%;
端子共面度:≤0.15mm。
厚膜电阻网络(bga型)
70℃时:单个电阻额定功率为0.05w,产品额定功率为1w;
温度系数: tcr≤±200 ppm/℃;
工作温度:-55℃~+125℃;
阻值范围:10ω ~10mω;
电阻值精度:± 1.0%。
厚膜汽车电子——发电机电压调节器芯片
电阻范围:0.1ω—10mω,电阻公差:±1%;
电阻温度系数:
±100ppm/℃ (10ω<r<1mω);
±200ppm/℃ (0.1ω<r<10ω,1 mω<r<10mω)。
表贴型负载
•特性阻抗: 10 ~ 500 ohms
•基板材料:氧化铝(alo),氧化铍(beo),氮化铝(aln)
•频率范围(frequency): dc ~ 6 ghz
•功率分级(power): 10,25,30,50,60,100,150, 250w
法兰型衰减器
基板材料:氧化铝(alo),氧化铍(beo),氮化铝(aln)
频率范围(frequency): 1ghz,2ghz,3 ghz,4 ghz, 6 ghz
功率范围(power): 10,20, 60,100,150, 250w
衰减值范围(value):1 ~ 30db
微片型衰减器
•基板材料:氧化铝(alo),氧化铍(beo),氮化铝(aln)
•采用∏型原理和厚膜工艺技术
同轴衰减器
•sma型:频率范围(frequency):3ghz,6 ghz,12.4 ghz
•功率范围(power):0.5,1,2,5,10 ,25,50w
•衰减值范围(value):1 ~ 50db
n型:频率范围(frequency):3ghz,6 ghz, 12.4 ghz
•功率范围(power):0.5,2,5,10,20,50,100,250w
•衰减值范围(value):1 ~ 50db
bnc型:频率范围(frequency):1ghz,3ghz
•功率范围(power):0.5,2,5 w
•衰减值范围(value):1 ~ 50db
l29型:频率范围(frequency): 1ghz,3ghz, 6ghz
•功率范围(power): 2,5 ,10,20,50,100,250w
•衰减值范围(value): 1 ~ 50db
陕西华经微电子股份有限公司
18091292669
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