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美光gddr5显存的gtx 1070早前被爆出有bug,容易引发驱动崩溃——具体来说就是,如果显卡显存在300mv低电压下待机,然后你用软件超频显存频率+400到+500,美光显存就会出问题,要么驱动崩溃,要么就是显示bsod信息。但如果你现在afterburner等软件中锁定电压,显存就可以正常超频500、600mhz频率。
这个问题本月初就有用户在nvidia网站讨论了,现在的情况是nvidia已经解决问题了,需要升级显卡bios,不过普通用户还要等等显卡厂商那边放出终bios。
据台湾媒体报道,尔必达计划投资30亿元新台币(约9550万美元)在台湾投建研发中心。报道引自台湾当局官员的表述称,尔必达已经向他们提出了补贴申请,以帮助投建该研发中心。为了获得台湾合作伙伴在产能上的支持,尔必达已经向力晶半导体、华邦、茂德授权了有关dram处理工艺。
号外!尔必达新颗粒上市 内存厂商疯抢
采用尔必达ddr3颗粒的记忆内存
号外!尔必达新颗粒上市 内存厂商疯抢
采用尔必达ddr3颗粒的记忆内存
另据有消息称,在尔必达颗粒制程调整后,66-62nm颗粒推出后首供记忆内存使用。致力服务于国内oem电脑生产厂商内存提供商的记忆内存,其内存专门供应联想、方正、长城、nec、同方、实达、浪潮、海信、海尔、tcl等厂商。其精湛做工和稳定的性能,长久以来博得了众多电脑厂商的认可。
号外!尔必达新颗粒上市 内存厂商疯抢
三月份首次公开展示之后,三星电子今天宣布,已经全球个开始量产基于16gb(2gb) die颗粒的新一代64gb ddr4 rdimm内存条,主要面向企业和云服务应用。
三星表示,这条内存的标准频率为2666mhz,后续还可以轻松提升,同时功耗比两条32gb的节省多达19%。
三星这种大容量内存主要面向amd epyc服务器平台,因为后者内存扩展性能极佳,支持八通道,每路配16条内存插槽,使用这种64gb内存条的话,总容量就可以达到2tb。
趁此机会,hpe(原惠普企业部门)也推出了新一代服务器proliant dl385 gen10,搭载amd epyc处理器,全球一家配备了三星的这种64gb大内存,双路32条插槽,总内存2tb。
同时还有一款单路的hpe proliant dl325 gen10,16条插槽,总内存也有1tb。
hpe透露,新内存可以带来16%的性能提升。
三星还透露,很快就会开始试产16gb die颗粒的256gb内存条,使用四rank、八rank tsv技术,预计今年年底完成,可以为双路服务器提供8tb的系统内存。
显存颗粒
显存颗粒是显存的物理存储组成单元。显存颗粒的类型(ddr3或ddr4),单颗容量(mb),单颗位宽(bit),理论显存频率(mhz)直接影响显卡的性能。
参数关系可以简单的这样理解:
打个比方,火车由好多节独立的车厢组成,而每节车厢都有自己的定员(单颗容量),车厢都有自己的属性,比如它支持的极限速度(显存频率),在很多车厢组合在一起的时候,整列火车的极限速度就取决与小的速度,而所能搭载的乘客就是所有车厢定员的总和。
提升性能容量:镁光发布单颗12-gb的lpddr4x移动内存颗粒
随着智能手机和平板电脑市场的日渐兴盛,消费者对于设备存储容量和性能的需求也水涨船高。尽管容量不一定是衡量性能的一的标准,但在5g到来之后,应用程序和网络连接将对内存子系统提出越来越高的要求。实际上,即便在当下,成像子系统和人工智能等工作负载,也需要高性能存储架构的鼎力支持。有鉴于此,镁光宣布了首款面向移动设备的单片12gb(1.5gb)lpddr4x动态随机存储器芯片。
镁光表示,为提升效率和降低能耗,该12-gblpddr4x内存颗粒将采用10-nm工艺生产。
与上一代产品相比,其速率可达4266mb/s,功耗还降低了10%。此外,芯片密度允许手机等移动设备,实现更高的总存储容量。
这款lpddr4x内存新品已经上市,感兴趣的移动设备设计师可以与镁光联系采购。
尔必达25nm制程4gbit内存颗粒开发完成
2011-09-22 13:32:28 出处:快科技 作者:chrisr 编辑:chrisr 人气: 4075 次 评论(11)点击可以复制本篇文章的标题和链接
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8月初,尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称,采用25nm新工艺制造的4gbit ddr3 sdram颗粒研发完成,芯片面积在同类产品(4gbit dram颗粒)中属世界小。
新的内存颗粒型号为edj4104bcbg/edj4108bcbg,位宽分别为4bit/8bit,尔必达称相比自家之前的30nm制程4gbit ddr3内存颗粒,1枚晶圆可切割出的芯片数量增加了45%,极大降低了生产成本。同时运行、待机时的电流值分别降低了25-30%和30-50%,高传输速度可达1866mbps以上(即此颗粒制成的内存频率高1866mhz),默认电压为1.5v,同时有低电压1.35v的版本。
尔必达表示新的内存颗粒将在今年12月份开始试产,预计也将在同月开始量产并批量出货。
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